5奈米可期！傳華為今年第4季發布麒麟9030
取材自中關村在線
華為昨（4）日發布新一代三折旗艦手機Mate XTs 非凡大師，披露搭載麒麟9020系統級晶片（SoC），這也是麒麟晶片時隔四年重現華為發布會。有供應鏈人士表示，華為今年第4季會有新的麒麟處理器9030公布，有可能會使用5奈米工藝。
快科技報導，按照專業人士的說法，既然敢公布麒麟處理器的名字，就可以確認全部大陸國產，美國的制裁已經不起作用了。按照之前鯤鵬930曝光的細節看，麒麟9030有可能會使用5奈米工藝。
之前就有博主爆料稱，外界盛傳的大陸國產N+3（外界盛傳達到125mtr）工藝消息大概率是靠譜的，因為專利顯示的H210G56指標，計算下來就是125mtr的布線密度。博主表示，如果真成了，那也代表大陸國產5奈米工藝就達成穩了。
據悉，中芯國際的N+3工藝具有顯著的電晶體密度，達到125MTr/mm（即每平方毫米125億個電晶體）。這一密度介於台積電的N6（113MTr/mm）與三星早期的5奈米（127MTr/mm）工藝之間，相當於台積電的5.5奈米工藝水準。
若以14奈米工藝為基點（密度約35MTr/mm），N+3的密度提升幅度超過了250%，這代表中芯國際在FinFET架構上的持續優化能力。
儘管N+3的命名容易讓人聯想到「等效5奈米」，但實際性能功耗表現對標的是台積電的N7P（7奈米增強版）和N6工藝。
這代表在相同電晶體數量下，中芯國際N+3的能效，可能比台積電的N5/N4工藝落後約15%到20%，這主要受限於EUV曝光機的短缺導致的工藝複雜度不足。然而，對於長期依賴成熟製程的大陸國產晶片而言，這一進步已經足夠打破多項技術瓶頸。
