Google新一代TPU傳不用CoWoS 台積封裝訂單遭英特爾狙擊
英特爾傳搶單台積電成功，拿下Google先進封裝大單。美聯社
英特爾傳搶單台積電成功，拿下Google先進封裝大單。外媒引述知名研究機構SemiAnalysis最新報告指出，Google下一代張量處理器（TPU）捨棄先前採用的台積電CoWoS先進封裝，轉向擁抱英特爾最新的EMIB-T封裝技術。
針對上述消息，台積電昨（2）日表示，不評論市場傳聞，也不評論單一客戶業務。英特爾方面也不予評論。業界解讀，這應是台積電CoWoS產能持續供不應求，讓英特爾有機可乘，拿下部分指標性大客戶案件。
台積電昨天普通股下跌40元、收2,465元，周四ADR早盤回神，漲約1%；英特爾周四早盤股價則跌約2%。
目前台積電CoWoS是市場上AI GPU與AI加速器的主流封裝選擇，包括輝達、超微及多家雲端服務供應商（CSP）的晶片，皆依賴CoWoS技術。
然而，SemiAnalysis在社群平台X貼文指出，Google下一代TPU（代號Humufish）將採用英特爾的EMIB-T封裝，而非CoWoS。
此事除了反映出大型雲端服務業者積極尋求突破單一供應鏈的限制，為AI晶片建立第二套先進封裝來源，成本與效率應該也是Google的一大考量。
不過，由於英特爾EMIB-T屬於新一代製程，其擴大量產的良率將是對該公司執行力的考驗；若時程上有所延誤，Google的TPU封裝仍有可能重新回到台積電陣營。
台積電CoWoS技術目前有CoWoS-S、CoWoS-R與CoWoS-L版本，其中CoWoS-S以晶圓級系統整合技術，能在大面積的矽中介層上提供高密度互連與深溝槽電容，以承載各種功能性晶片，不過容納最大僅達3.3倍光罩尺寸的中介層。
CoWoS-R則使用重佈線層（RDL）中介層為系統單晶片（SoC）與／或高頻寬記憶體（HBM）之間的互連介面，以實現異質整合。至於CoWoS-L則結合以RDL為基礎的中介層與內嵌局部矽互連（LSI），能支援更大尺寸的高效能運算（HPC）產品。
至於英特爾的EMIB 2.5D方案，使用非常小的矽橋搭配多層布線，來取代大面積矽中介層，並支援HBM整合，標榜最適合當前的AI應用。
根據英特爾釋出的資料，預計今年可達到八至十倍光罩複合體尺寸，以較低成本提供最高密度的運算能力。而且EMIB-T版本加入矽穿孔（TSV）技術，支援從其他封裝技術轉換設計。
