中韓HBM技術差 距縮至兩年
中韓在高頻寬記憶體（HBM）的技術差距，最快已縮短至僅約兩年。路透
中韓在高頻寬記憶體（HBM）的技術差距，最快已縮短至僅約兩年。南韓專家警告，大陸雖尚未具備穩定量產HBM的能力，但正憑藉既有DRAM生產經驗加速追趕，HBM技術差距恐進一步收窄，南韓已難言高枕無憂。南韓金融新聞近日報導指出，南韓半導體業界對大陸在HBM領域的追趕速度愈發警惕。高麗大學電氣電子工學部教授申昌煥認為，中韓HBM技術差距已縮小至兩年左右，原因是HBM世代更替周期比DRAM快，大陸也已著手開發記憶體堆疊封裝技術。
